TSC7225E

TSC7225E是由我司生产的一款超低通态电阻RDS(ON) N沟道型场效应晶体管（MOSFET）。

TSC7225E的主要特点包括：

·    漏源电压(Vds)：200V。

·    栅源电压（Vgs）：最大±20V。

·    连续漏极电流(Id)：135A。

·    功率(Pd)：416W。

·    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.8mΩ@25A, 10V。

·    栅源阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@1mA。

·    工作温度范围：-55℃至+175℃。

·    封装类型：TO-263-3L。

应用领域：

·    可用于汽车和一般用途的功率开关。

·    工业开关模式和谐振模式电源

·    适用于电动机、灯具和电磁阀等应用。

·    可再生能源逆变器

封装的详细信息，包括尺寸、引脚配置和标识，都可以在DataSheet手册中找到，欢迎点击上方索取资料向我们索取。